Numéro de produit du fabricant:
BSM180D12P3C007
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSM180D12P3C007-DG
Description:
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Description détaillée:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W Surface Mount Module
Inventaire:
1 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13524195
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BSM180D12P3C007 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 50mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
900pF @ 10V
Puissance - Max
880W
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
Module
Ensemble d’appareils du fournisseur
Module
Numéro de produit de base
BSM180
Fiche technique & Documents
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
12
Autres noms
Q9597863
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
