Numéro de produit du fabricant:
BSM180D12P2C101
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSM180D12P2C101-DG
Description:
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Description détaillée:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
Inventaire:
1 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13523041
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SOUMETTRE
BSM180D12P2C101 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
204A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
23000pF @ 10V
Puissance - Max
1130W
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Emballage / Caisse
Module
Ensemble d’appareils du fournisseur
Module
Numéro de produit de base
BSM180
Fiche technique & Documents
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
12
Autres noms
Q7641253A
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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