Numéro de produit du fabricant:
BSM180C12P3C202
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSM180C12P3C202-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module
Inventaire:
11 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12937633
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SOUMETTRE
BSM180C12P3C202 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 50mA
Vgs (max.)
+22V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9000 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
880W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Module
Emballage / Caisse
Module
Numéro de produit de base
BSM180
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
12
Autres noms
846-BSM180C12P3C202
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
2SJ143(6)-S6-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
2SK515-T1B-A
SMALL SIGNAL FET
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
