Numéro de produit du fabricant:
2SK3065T100
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK3065T100-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3
Inventaire:
15672 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13521301
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SOUMETTRE
2SK3065T100 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
rds activé (max) @ id, vgs
320mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
160 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
MPT3
Emballage / Caisse
TO-243AA
Numéro de produit de base
2SK3065
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
2SK3065T100TR
2SK3065T100CT
2SK3065T100DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
ZXMN6A11ZTA
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
25615
NUMÉRO DE PIÈCE
ZXMN6A11ZTA-DG
PRIX UNITAIRE
0.24
TYPE DE SUBSTITUT
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