2SK2887TL
Numéro de produit du fabricant:

2SK2887TL

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2SK2887TL-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Description détaillée:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3

Inventaire:

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SOUMETTRE

2SK2887TL Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
230 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
20W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
CPT3
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
2SK2887

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
2SK2887TLDKR
2SK2887TLCT
2SK2887TLTR
2SK2887TL-ND

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
4331
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.31
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220TRPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
15775
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.31
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220TRLPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
6571
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220TRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.31
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
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FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2014
NUMÉRO DE PIÈCE
RD3T050CNTL1-DG
PRIX UNITAIRE
0.45
TYPE DE SUBSTITUT
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