Numéro de produit du fabricant:
UPA2706GR-E1-AT
Product Overview
Fabricant:
Renesas
DiGi Electronics Numéro de pièce:
UPA2706GR-E1-AT-DG
Description:
UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE
Description détaillée:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 20A (Tc) 3W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventaire:
7500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12976869
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
UPA2706GR-E1-AT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta), 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.1 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
660 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 15W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Informations supplémentaires
Forfait standard
258
Autres noms
2156-UPA2706GR-E1-AT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NP82N10PUF-E1-AY
NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF
2SK3447TZ-E
2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL
HAT1091C-EL-E
HAT1091C-EL-E - SILICON P CHANNE
