Numéro de produit du fabricant:
HS54095TZ-E
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HS54095TZ-E-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 200mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventaire:
12860299
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SOUMETTRE
HS54095TZ-E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
16.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
66 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
750mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STQ1NK60ZR-AP
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
7349
NUMÉRO DE PIÈCE
STQ1NK60ZR-AP-DG
PRIX UNITAIRE
0.17
TYPE DE SUBSTITUT
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