Numéro de produit du fabricant:
FA4F4M-T1B-A
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FA4F4M-T1B-A-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW
Inventaire:
12853637
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SOUMETTRE
FA4F4M-T1B-A Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
22 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
22 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
60 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 250µ, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Puissance - Max
200 mW
Numéro de produit de base
FA4F4M
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SMUN2212T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
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