Numéro de produit du fabricant:
CE1F3P-AZ
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CE1F3P-AZ-DG
Description:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 70 V 2 A 1 W Through Hole
Inventaire:
1059 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12930866
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SOUMETTRE
CE1F3P-AZ Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
70 V
Résistance - Base (R1)
2.2 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
500 @ 2A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Puissance - Max
1 W
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
3-SSIP
Ensemble d’appareils du fournisseur
-
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
560
Autres noms
2156-CE1F3P-AZ
RENRNSCE1F3P-AZ
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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