Numéro de produit du fabricant:
2SK4150TZ-E
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK4150TZ-E-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 400MA TO92
Description détaillée:
N-Channel 250 V 400mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventaire:
12854593
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
2SK4150TZ-E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
rds activé (max) @ id, vgs
5.7Ohm @ 200mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.7 nC @ 4 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
80 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
750mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DN2535N5-G
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
199
NUMÉRO DE PIÈCE
DN2535N5-G-DG
PRIX UNITAIRE
1.19
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
UPA2739T1A-E2-AY
MOSFET P-CH 30V 85A 8HVSON
N0601N-ZK-E1-AY
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
MTP2955V
MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
