Numéro de produit du fabricant:
2SK3813-AZ
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK3813-AZ-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 60A TO251
Description détaillée:
N-Channel 40 V 60A (Ta) 1W (Ta), 84W (Tc) Through Hole TO-251
Inventaire:
12930728
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
2SK3813-AZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5500 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta), 84W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
AON6482
MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN
AOI4T60
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
AOT1100L
MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO220
