Numéro de produit du fabricant:
2SK3431-AZ
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK3431-AZ-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 40 V 83A (Tc) 1.5W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12858610
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SOUMETTRE
2SK3431-AZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
83A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.6mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6100 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta), 100W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRL1004PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1394
NUMÉRO DE PIÈCE
IRL1004PBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.32
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Infineon Technologies
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PRIX UNITAIRE
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