Numéro de produit du fabricant:
2SK1339-E
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK1339-E-DG
Description:
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 80W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaire:
12857795
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SOUMETTRE
2SK1339-E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
425 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
2SK1339
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP3NK90Z
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
361
NUMÉRO DE PIÈCE
STP3NK90Z-DG
PRIX UNITAIRE
0.77
TYPE DE SUBSTITUT
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