Numéro de produit du fabricant:
PJW7N06A_R2_00001
Product Overview
Fabricant:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PJW7N06A_R2_00001-DG
Description:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée:
N-Channel 60 V 6.6A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
12972787
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SOUMETTRE
PJW7N06A_R2_00001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
34mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1173 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
PJW7N06
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
3757-PJW7N06A_R2_00001TR
3757-PJW7N06A_R2_00001CT
3757-PJW7N06A_R2_00001DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
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NDP5060 - 26A, 60V, 0.05OHM, N-C
