Numéro de produit du fabricant:
PJW3P10A_R2_00001
Product Overview
Fabricant:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PJW3P10A_R2_00001-DG
Description:
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Description détaillée:
P-Channel 100 V 2.6A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
9917 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12971865
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
PJW3P10A_R2_00001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
210mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1419 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
PJW3P10A
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
3757-PJW3P10A_R2_00001CT
3757-PJW3P10A_R2_00001TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJQ4466AP-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4403P_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJF10NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
