Numéro de produit du fabricant:
PJW1NA60A_R2_00001
Product Overview
Fabricant:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PJW1NA60A_R2_00001-DG
Description:
600V N-CHANNEL MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 600 V 400mA (Ta) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
12973626
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
3mq1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
PJW1NA60A_R2_00001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
148 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
PJW1NA60A
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
3757-PJW1NA60A_R2_00001DKR
3757-PJW1NA60A_R2_00001CT
3757-PJW1NA60A_R2_00001TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STN1HNK60
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
45248
NUMÉRO DE PIÈCE
STN1HNK60-DG
PRIX UNITAIRE
0.37
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
PJL9407_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ2408_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
SUD15N15-95-BE3
MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
