PJS6415AE_S1_00001
Numéro de produit du fabricant:

PJS6415AE_S1_00001

Product Overview

Fabricant:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PJS6415AE_S1_00001-DG

Description:

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée:
P-Channel 20 V 4.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Inventaire:

12973545
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SOUMETTRE

PJS6415AE_S1_00001 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
602 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-6
Emballage / Caisse
SOT-23-6
Numéro de produit de base
PJS6415

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
3757-PJS6415AE_S1_00001TR
3757-PJS6415AE_S1_00001CT
3757-PJS6415AE_S1_00001DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
panjit

PJP60R980E_T0_00001

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

stmicroelectronics

STB33N60M6

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

diodes

DMP3021SFVWQ-7

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

infineon-technologies

IQE030N06NM5ATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8