PJQ5466A1_R2_00001
Numéro de produit du fabricant:

PJQ5466A1_R2_00001

Product Overview

Fabricant:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PJQ5466A1_R2_00001-DG

Description:

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée:
N-Channel 60 V 7.4A (Ta), 48A (Tc) 2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DFN5060-8

Inventaire:

1970 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12969985
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SOUMETTRE

PJQ5466A1_R2_00001 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.4A (Ta), 48A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1574 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN5060-8
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
PJQ5466

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
3757-PJQ5466A1_R2_00001DKR
3757-PJQ5466A1_R2_00001TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IRFC130NB

MOSFET 100V 17A DIE

vishay-siliconix

SIHP17N80E-BE3

MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB

vishay-siliconix

SQ4431EY-T1_BE3

MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

panjit

PJP60R540E_T0_00001

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO