Numéro de produit du fabricant:
PJQ4446P_R2_00001
Product Overview
Fabricant:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PJQ4446P_R2_00001-DG
Description:
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée:
N-Channel 40 V 10.5A (Ta), 48A (Tc) 2W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Inventaire:
4980 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12971229
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
PJQ4446P_R2_00001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.5A (Ta), 48A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1258 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 41.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN3333-8
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
PJQ4446
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
3757-PJQ4446P_R2_00001TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJD4NA60_R2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
PJF60R390E_T0_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
PJD1NA60B_L2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
