PJQ4416EP_R2_00001
Numéro de produit du fabricant:

PJQ4416EP_R2_00001

Product Overview

Fabricant:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PJQ4416EP_R2_00001-DG

Description:

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée:
N-Channel 20 V 11A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DFN3333-8

Inventaire:

12970790
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SOUMETTRE

PJQ4416EP_R2_00001 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta), 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1117 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 26W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN3333-8
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
PJQ4416

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
3757-PJQ4416EP_R2_00001CT
3757-PJQ4416EP_R2_00001DKR
3757-PJQ4416EP_R2_00001TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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