Numéro de produit du fabricant:
PJP60R620E_T0_00001
Product Overview
Fabricant:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PJP60R620E_T0_00001-DG
Description:
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Description détaillée:
N-Channel 600 V 1.2A (Ta), 7A (Tc) 2W (Ta), 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12970491
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SOUMETTRE
PJP60R620E_T0_00001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.2A (Ta), 7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
457 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 78W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
PJP60R
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
3757-PJP60R620E_T0_00001
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJQ5440-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJP6NA40_T0_00001
400V N-CHANNEL MOSFET
PJQ5450_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
