PJP100P03_T0_00001
Numéro de produit du fabricant:

PJP100P03_T0_00001

Product Overview

Fabricant:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PJP100P03_T0_00001-DG

Description:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée:
P-Channel 30 V 15.8A (Ta), 100A (Tc) 2W (Ta), 119W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaire:

12974594
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SOUMETTRE

PJP100P03_T0_00001 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15.8A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6067 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 119W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
PJP100

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
3757-PJP100P03_T0_00001

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SIHK075N60E-T1-GE3

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