Numéro de produit du fabricant:
PJD8NA50_L2_00001
Product Overview
Fabricant:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PJD8NA50_L2_00001-DG
Description:
500V N-CHANNEL MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 500 V 8A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
12974776
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SOUMETTRE
PJD8NA50_L2_00001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
-
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
826 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
130W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
PJD8N
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
3757-PJD8NA50_L2_00001DKR
3757-PJD8NA50_L2_00001TR
3757-PJD8NA50_L2_00001CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTMTSC1D5N08MC
MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW
PMV88ENER
PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
SIR4602LDP-T1-RE3
POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
