Numéro de produit du fabricant:
UNR421100A
Product Overview
Fabricant:
Panasonic Electronic Components
DiGi Electronics Numéro de pièce:
UNR421100A-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V NS-B1
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 300 mW Through Hole NS-B1
Inventaire:
12940390
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Quantité
Minimum 1
Minimum 1
evP9
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SOUMETTRE
UNR421100A Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Panasonic
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
10 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
150 MHz
Puissance - Max
300 mW
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
3-SIP
Ensemble d’appareils du fournisseur
NS-B1
Numéro de produit de base
UNR421
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
UNR421100ACT
UNR421100ATB
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BCR133E6327HTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
60618
NUMÉRO DE PIÈCE
BCR133E6327HTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
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