SSR1N60BTM-WS
Numéro de produit du fabricant:

SSR1N60BTM-WS

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SSR1N60BTM-WS-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaire:

12843016
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SOUMETTRE

SSR1N60BTM-WS Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
900mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
12Ohm @ 450mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
215 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SSR1N60

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
2166-SSR1N60BTM-WS-488
SSR1N60BTM_WS
SSR1N60BTM_WS-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY1N80P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY1N80P-DG
PRIX UNITAIRE
1.67
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
FQD5N60CTM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
FQD5N60CTM-DG
PRIX UNITAIRE
0.42
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FQD1N60CTM
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1490
NUMÉRO DE PIÈCE
FQD1N60CTM-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
TYPE DE SUBSTITUT
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