Numéro de produit du fabricant:
SI4435DY
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4435DY-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
25 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12857594
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SOUMETTRE
SI4435DY Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1604 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4435
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4435DYFSTR
SI4435DYFSCT
SI4435DYCT-DG
SI4435DYCT
SI4435DYFSDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4435DYTRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
43578
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4435DYTRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.34
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PRIX UNITAIRE
0.26
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PRIX UNITAIRE
0.16
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
0.21
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