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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
RFP40N10
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RFP40N10-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12857313
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SOUMETTRE
RFP40N10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
160W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
RFP40
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
RFP40N10-DG
Fiches techniques
RFP40N10
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Autres noms
RFP40N10-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP30NF10
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
991
NUMÉRO DE PIÈCE
STP30NF10-DG
PRIX UNITAIRE
0.79
TYPE DE SUBSTITUT
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21891
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PRIX UNITAIRE
0.67
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PRIX UNITAIRE
1.14
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PRIX UNITAIRE
0.81
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