Numéro de produit du fabricant:
NXV08B800DT1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NXV08B800DT1-DG
Description:
MOSFET 80V APM17-MDC
Description détaillée:
Mosfet Array 80V Through Hole APM17-MDC
Inventaire:
12994117
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SOUMETTRE
NXV08B800DT1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
80V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
-
rds activé (max) @ id, vgs
0.46mOhm @ 160A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
502nC @ 12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
30150pF @ 40V
Puissance - Max
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TA)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Ensemble d’appareils du fournisseur
APM17-MDC
Numéro de produit de base
NXV08
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Autres noms
488-NXV08B800DT1
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
G120P03S2
MOSFET 30V 16A 8SOP
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