Numéro de produit du fabricant:
NXH350N100H4Q2F2SG
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NXH350N100H4Q2F2SG-DG
Description:
IC MODULE PIM 350A 1000V
Description détaillée:
IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 1000 V 303 A 592 W Chassis Mount 42-PIM/Q2PACK (93x47)
Inventaire:
12945966
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SOUMETTRE
NXH350N100H4Q2F2SG Spécifications techniques
Catégorie
IGBTs, Modules IGBT
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Type d’IGBT
Trench Field Stop
Configuration
Three Level Inverter
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
1000 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
303 A
Puissance - Max
592 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 375A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1 mA
Capacité d’entrée (Cies) @ Vce
24.146 nF @ 20 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Yes
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Emballage / Caisse
Module
Ensemble d’appareils du fournisseur
42-PIM/Q2PACK (93x47)
Numéro de produit de base
NXH350
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
488-NXH350N100H4Q2F2SG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NXH350N100H4Q2F2S1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
36
NUMÉRO DE PIÈCE
NXH350N100H4Q2F2S1G-DG
PRIX UNITAIRE
205.05
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
BSM150GB170DN2E3256HDLA1
BSM150GB170DN2 - INSULATED GATE
FZ1800R17HP4_B29
FZ1800R17 - IGBT MODULE
FZ1800R17KF4NOSA1
FZ1800R17 - INSULATED GATE BIPOL