NXH200T120H3Q2F2STG
Numéro de produit du fabricant:

NXH200T120H3Q2F2STG

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NXH200T120H3Q2F2STG-DG

Description:

80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (
Description détaillée:
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 330 A 679 W Chassis Mount 56-PIM/Q2PACK (93x47)

Inventaire:

12979139
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SOUMETTRE

NXH200T120H3Q2F2STG Spécifications techniques

Catégorie
IGBTs, Modules IGBT
Fabricant
onsemi
Emballage
Tray
Série
-
État du produit
Active
Type d’IGBT
Trench Field Stop
Configuration
Half Bridge
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
330 A
Puissance - Max
679 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500 µA
Capacité d’entrée (Cies) @ Vce
35.615 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
No
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Emballage / Caisse
Module
Ensemble d’appareils du fournisseur
56-PIM/Q2PACK (93x47)

Fiche technique & Documents

Informations supplémentaires

Forfait standard
12
Autres noms
488-NXH200T120H3Q2F2STG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
NXH200T120H3Q2F2SG
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
36
NUMÉRO DE PIÈCE
NXH200T120H3Q2F2SG-DG
PRIX UNITAIRE
168.97
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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