Numéro de produit du fabricant:
NXH010P120MNF1PTNG
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NXH010P120MNF1PTNG-DG
Description:
SIC 2N-CH 1200V 114A
Description détaillée:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 250W (Tj) Chassis Mount
Inventaire:
12973676
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SOUMETTRE
NXH010P120MNF1PTNG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
Tray
Série
-
État du produit
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
114A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 40mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
454nC @ 20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4707pF @ 800V
Puissance - Max
250W (Tj)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Emballage / Caisse
Module
Ensemble d’appareils du fournisseur
-
Numéro de produit de base
NXH010
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
28
Autres noms
488-NXH010P120MNF1PTNG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTTFD022N10C
MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN
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