Numéro de produit du fabricant:
NVTFS5811NLTWG
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVTFS5811NLTWG-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
Description détaillée:
N-Channel 40 V 16A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventaire:
12858906
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SOUMETTRE
NVTFS5811NLTWG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1570 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.2W (Ta), 21W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-WDFN (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
NVTFS5811
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3G150GNTB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
5884
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3G150GNTB-DG
PRIX UNITAIRE
0.44
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
RH6G040BGTB1
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PRIX UNITAIRE
0.68
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