Numéro de produit du fabricant:
NVTFS5116PLTWG
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVTFS5116PLTWG-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Description détaillée:
P-Channel 60 V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventaire:
14770 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12843101
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SOUMETTRE
NVTFS5116PLTWG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
52mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1258 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.2W (Ta), 21W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-WDFN (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
NVTFS5116
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
NVTFS5116PLTWGOSDKR
NVTFS5116PLTWG-DG
NVTFS5116PLTWGOSCT
NVTFS5116PLTWGOSTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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