Numéro de produit du fabricant:
NVMYS021N06CLTWG
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVMYS021N06CLTWG-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 9.8A (Ta), 27A (Tc) 3.8W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventaire:
3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12845283
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SOUMETTRE
NVMYS021N06CLTWG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.8A (Ta), 27A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 16µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
410 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK4 (5x6)
Emballage / Caisse
SOT-1023, 4-LFPAK
Numéro de produit de base
NVMYS021
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
NVMYS021N06CLTWGOSDKR
NVMYS021N06CLTWGOS
2832-NVMYS021N06CLTWG
NVMYS021N06CLTWGOSTR
NVMYS021N06CLTWGOSCT
NVMYS021N06CLTWGOS-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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