NVMYS011N04CTWG
Numéro de produit du fabricant:

NVMYS011N04CTWG

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NVMYS011N04CTWG-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 13A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

Inventaire:

3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12857350
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SOUMETTRE

NVMYS011N04CTWG Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Ta), 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
420 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK4 (5x6)
Emballage / Caisse
SOT-1023, 4-LFPAK
Numéro de produit de base
NVMYS011

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
NVMYS011N04CTWGOSDKR
NVMYS011N04CTWGOS
NVMYS011N04CTWGOSCT
NVMYS011N04CTWGOSTR
2832-NVMYS011N04CTWG-488
NVMYS011N04CTWGOS-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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