Numéro de produit du fabricant:
NVMS5P02R2G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVMS5P02R2G-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 20 V 3.95A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
4555 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12843239
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SOUMETTRE
NVMS5P02R2G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.95A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1900 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
NVMS5P02
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
NVMS5P02R2GOSDKR
NVMS5P02R2G-DG
2156-NVMS5P02R2G-OS
NVMS5P02R2GOSTR
NVMS5P02R2GOSCT
ONSONSNVMS5P02R2G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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