Numéro de produit du fabricant:
NVMJS1D5N04CLTWG
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVMJS1D5N04CLTWG-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 38A (Ta), 200A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Inventaire:
12840840
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SOUMETTRE
NVMJS1D5N04CLTWG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
38A (Ta), 200A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 130µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4300 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-LFPAK
Emballage / Caisse
SOT-1205, 8-LFPAK56
Numéro de produit de base
NVMJS1
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
NVMJS1D5N04CLTWGOS
NVMJS1D5N04CLTWGOS-DG
NVMJS1D5N04CLTWGOSTR
NVMJS1D5N04CLTWGOSCT
NVMJS1D5N04CLTWGOSDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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