Numéro de produit du fabricant:
NVMFS6H848NWFT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVMFS6H848NWFT1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN
Description détaillée:
N-Channel 80 V 13A (Ta), 57A (Tc) 3.7W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventaire:
12841156
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NVMFS6H848NWFT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Ta), 57A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 70µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1180 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.7W (Ta), 73W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NVMFS6
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NVMFS6H848NWFT1GTR
NVMFS6H848NWFT1G-DG
488-NVMFS6H848NWFT1GCT
488-NVMFS6H848NWFT1GDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTTFS3A08PZTWG
MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
2SK221100L
MOSFET N-CH 30V 1A MINIP3-F1
AUIRFR8401TRL
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
