NVMFS6H818NWFT1G
Numéro de produit du fabricant:

NVMFS6H818NWFT1G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NVMFS6H818NWFT1G-DG

Description:

MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Description détaillée:
N-Channel 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Inventaire:

2975 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12844807
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SOUMETTRE

NVMFS6H818NWFT1G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Ta), 123A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 190µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3100 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NVMFS6

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
NVMFS6H818NWFT1G-DG
Fiches techniques
NVMFS6H818NWFT1G

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
NVMFS6H818NWFT1G-DG
NVMFS6H818NWFT1GOSTR
NVMFS6H818NWFT1GOSDKR
2156-NVMFS6H818NWFT1G-OS
ONSONSNVMFS6H818NWFT1G
NVMFS6H818NWFT1GOSCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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