Numéro de produit du fabricant:
NVMFS6H800NWFT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVMFS6H800NWFT1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Description détaillée:
N-Channel 80 V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventaire:
12857189
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SOUMETTRE
NVMFS6H800NWFT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
28A (Ta), 203A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 330µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5530 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NVMFS6
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NVMFS6H800NWFT1GCT
488-NVMFS6H800NWFT1GTR
488-NVMFS6H800NWFT1GDKR
NVMFS6H800NWFT1G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NVMFS6H800NT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
36
NUMÉRO DE PIÈCE
NVMFS6H800NT1G-DG
PRIX UNITAIRE
2.27
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
RFG60P05E
MOSFET P-CH 50V 60A TO247-3
NTH027N65S3F-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
NVMFS5C450NWFT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
