Numéro de produit du fabricant:
NVMFS5832NLT3G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVMFS5832NLT3G-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Description détaillée:
N-Channel 40 V 21A (Ta) 3.7W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventaire:
12856392
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SOUMETTRE
NVMFS5832NLT3G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2700 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.7W (Ta), 127W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NVMFS5832
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NVMFS5832NLWFT3G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
10000
NUMÉRO DE PIÈCE
NVMFS5832NLWFT3G-DG
PRIX UNITAIRE
0.52
TYPE DE SUBSTITUT
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