NVMFD6H852NLWFT1G
Numéro de produit du fabricant:

NVMFD6H852NLWFT1G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NVMFD6H852NLWFT1G-DG

Description:

MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Description détaillée:
N-Channel 80 V 7A (Ta), 25A (Tc) 3.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Inventaire:

12856964
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SOUMETTRE

NVMFD6H852NLWFT1G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Ta), 25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
25.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 26µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
521 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (max.)
3.2W (Ta), 38W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
NVMFD6

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
NVMFD6H852NLWFT1GOSCT
NVMFD6H852NLWFT1GOSDKR
NVMFD6H852NLWFT1GOS
NVMFD6H852NLWFT1GOSTR
NVMFD6H852NLWFT1GOS-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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