Numéro de produit du fabricant:
NVMD6N03R2G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVMD6N03R2G-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12847844
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
vlqh
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NVMD6N03R2G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A
rds activé (max) @ id, vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
950pF @ 24V
Puissance - Max
1.29W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
NVMD6
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
2156-NVMD6N03R2G-ONTR
ONSONSNVMD6N03R2G
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
Certification DIGI
Produits Connexes
NTLJD3183CZTAG
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
FDG6304P
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
FDMA1024NZ
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET