Numéro de produit du fabricant:
NVGS5120PT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVGS5120PT1G-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Description détaillée:
P-Channel 60 V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
89490 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12939007
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SOUMETTRE
NVGS5120PT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
111mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
942 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
600mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
NVGS5120
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
NVGS5120PT1GOSCT
NVGS5120PT1GOSDKR
NVGS5120PT1G-DG
NVGS5120PT1GOSTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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