NVD5484NLT4G
Numéro de produit du fabricant:

NVD5484NLT4G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NVD5484NLT4G-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 10.7A (Ta), 54A (Tc) 3.9W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DPAK-3

Inventaire:

12844318
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SOUMETTRE

NVD5484NLT4G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.7A (Ta), 54A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1410 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.9W (Ta), 100W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK-3
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
NVD548

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
2156-NVD5484NLT4G
ONSONSNVD5484NLT4G

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IPD30N08S2L21ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
20072
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD30N08S2L21ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.63
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
STD35NF06LT4
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
4288
NUMÉRO DE PIÈCE
STD35NF06LT4-DG
PRIX UNITAIRE
0.54
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
FDD5353
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
9054
NUMÉRO DE PIÈCE
FDD5353-DG
PRIX UNITAIRE
0.53
TYPE DE SUBSTITUT
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