Numéro de produit du fabricant:
NVD5117PLT4G-VF01
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVD5117PLT4G-VF01-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Description détaillée:
P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventaire:
12857770
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SOUMETTRE
NVD5117PLT4G-VF01 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
NVD5117
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
NVD5117PLT4G-VF01TR
NVD5117PLT4G-VF01DKR
2832-NVD5117PLT4G-VF01TR
NVD5117PLT4G-VF01CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTD5865NL-1G
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