Numéro de produit du fabricant:
NVBG160N120SC1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVBG160N120SC1-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 19.5A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventaire:
785 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12938251
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SOUMETTRE
NVBG160N120SC1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
224mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33.8 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
678 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numéro de produit de base
NVBG160
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-NVBG160N120SC1DKR
488-NVBG160N120SC1CT
488-NVBG160N120SC1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NTBG160N120SC1
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
512
NUMÉRO DE PIÈCE
NTBG160N120SC1-DG
PRIX UNITAIRE
4.23
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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