Numéro de produit du fabricant:
NVBG095N065SC1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVBG095N065SC1-DG
Description:
SIC MOS D2PAK-7L 650V
Description détaillée:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventaire:
13002631
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NVBG095N065SC1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
105mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 18 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
956 pF @ 325 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numéro de produit de base
NVBG095
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-NVBG095N065SC1CT
488-NVBG095N065SC1TR
488-NVBG095N065SC1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NVMJST0D9N04CTXG
TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
G160N04K
MOSFET N-CH 40V 25A TO-252
PMPB12R5UPEX
PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M
