Numéro de produit du fabricant:
NVBG070N120M3S
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVBG070N120M3S-DG
Description:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 172W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventaire:
790 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13255997
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SOUMETTRE
NVBG070N120M3S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
36A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
87mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 7mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1230 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
172W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-NVBG070N120M3STR
488-NVBG070N120M3SDKR
488-NVBG070N120M3SCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NTBG070N120M3S
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
798
NUMÉRO DE PIÈCE
NTBG070N120M3S-DG
PRIX UNITAIRE
5.62
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
NTBLS0D8N08XTXG
MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
NVH4L095N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
NTBG070N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E