Numéro de produit du fabricant:
NVB5860NT4G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVB5860NT4G-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 220A (Tc) 283W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
12858030
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SOUMETTRE
NVB5860NT4G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
220A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10760 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
283W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
NVB586
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
2156-NVB5860NT4G-ONTR-DG
2156-NVB5860NT4G
ONSONSNVB5860NT4G
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BUK964R2-55B,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
4697
NUMÉRO DE PIÈCE
BUK964R2-55B,118-DG
PRIX UNITAIRE
1.46
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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